我们正在运用自身先进的沉积技术，在硅晶圆上进行AlN外延生长。

我们运用先进的沉积技术，正在开发多层单晶PZT（2层PZT）晶片。其压电性能得到提升，可实现高功率、高精度的致动器驱动。

通过DLC成膜的等离子控制技术与无机晶体控制技术相结合，我们成功地将被认为极难合成的压电材料单晶化， 并建立了制造方法。 单晶技术能够应用在各种半导体加工，同时表现出比现有多晶材料更高的性能。

KRYSTAL^® Wafer背后的核心技术，是我们基于独特 ZrO₂（氧化锆）缓冲层的专有原子级界面工程技术。KRYSTAL^® Wafer是一种利用该基于 ZrO₂ 的界面工程技术的外延生长平台。该平台支持多种功能性薄膜，包括其生长机制近期已得到阐明的 Pt 电极结构。它能够实现 PZT 及其他多种功能性材料的高质量外延生长，有助于提升 MEMS 传感器、致动器、射频器件及其他先进微电子应用的性能。

微机电系统（MEMS）器件已作为电子元件广泛应用于我们身边的家电、汽车、物联网产品、通信和医疗产品等领域，预计今后 MEMS 的应用还会继续扩大。本页将详细介绍在我们熟悉的产品中应用最广泛的利用半导体处理技术的微机电系统。