单晶成膜技术的原理
晶体结构有两种类型 单晶和多晶。它们根据构成晶体的晶粒取向排列而有所不同。
晶粒均匀有序排列的物质结构称为「单晶」，典型的例子是钻石。坚硬透明的钻石由碳制成，然而，又软又黑的铅笔芯也是由碳制成。即使是相同的材料，颜色和性质也会因结晶状态而做成差异。
内容:
单晶成膜技术原理
业界已经认知，采用单晶材料可以改善各种物料的性能，但实际应用上受到技术难度和成本高昂的限制, 尚未能投入使用。我们利用专有的单晶技术克服了这些阻碍，成功创造了被认为不可能的单晶材料技术。
随着多様化产品的生产，我们绝对有信心能够满足广泛客户的不同需求。
KRYSTAL® Wafer单晶技术的关键在于其独特的缓冲层，尤其是当中氧化锆的形状改变。在铂或氧化锆的介面表面上,微小的金字塔（纳米金字塔）结构能有规律地排列。氧化锆在四方结构的情况下，空间群具有 P4₂/nmc 复正方双锥结构，晶体会随着金字塔结构的形成而增长。
这种纳米金字塔结构是「可变金字塔」，取决于压电材料的晶格。事实上我们已经证实，当不同的压电材料在成膜时，结构都会发生变化。一般来说，缓冲层是用于晶格匹配，我们的技术是通过改变缓冲层本身的上下膜来控制方向，这样就可以确保广泛的加工，从而实现各种材料单晶化的可能。
单晶PZT薄膜
压电特性
注：这些是当前的测量数据。可能会因改进等原因而发生变化。
多层单晶PZT (2层PZT) 薄膜 [开发中]
此外，我们还在应用卓越的沉积技术开发多层单晶 PZT 硅片。改善了压电特性，实现了高功率和高精度致动器驱动。
正在开发6英寸和8英寸晶圆。详情请联系我们。 联系我们
1 层和 2 层 PZT 的压电特性
注：这些是当前的测量数据。可能会因改进等原因而发生变化。
2层 PZT 应用实例 (MEMS Mirror)
*相同输入电压下的模拟示例
氮化铝 (AlN) 薄膜 [开发中]
利用我们的 ZrO2 缓冲技术，在硅晶片上实现了氮化铝的外延生长。
正在开发6英寸和8英寸晶圆。详情请联系我们。 联系我们
氮化铝 (AlN) 薄膜的特性
*Uniformity ±0.66%是特殊要求。注：这些数据可能会因改进等原因而发生变化。
氮化铝 (AlN) 薄膜的结晶度
晶格常数对齐，外延氮化铝薄膜质量好，晶体取向度高。
注：这些数据可能会因改进等原因而发生变化。
