客戸如欲使用自己的设备进行单晶PZT成膜,我们乐意提供有关KRYSTAL^® Wafer晶圆进行成膜的参考建议。

KRYSTAL^® Wafer是什么？

优质的KRYSTAL^® Wafer用于压电MEMS，通过ZrO2缓冲为各种压电材料进行单晶化。

我们拥有在客户设备上使用KRYSTAL^® Wafer成功进行单晶化的良好表现实绩。
有关单晶薄膜成膜方法的更多资讯，请与我们联系。

KRYSTAL^® Wafer 产品类型

KRYSTAL Wafer 二氧化锆或“氧化锆”是金属“锆”（Zr）的氧化形式，以其高熔点而闻名。其晶体为复正方双锥结构，归类为P4₂/nmc空间群。这种金字塔结构沿上层材料的晶格常数变形，有助于该上层材料的单结晶。这是KRYSTAL^® Wafer单晶技术的一个关键。

KRYSTAL Wafer 铂金（Pt）电阻低能容易成膜，因此常被用作压电元件成膜的电极。根据客户的规格要求，我们能够提供在ZrO2上形成的铂膜。

KRYSTAL Wafer SRO;SrRuO₃　是一种铁磁性金属氧化物，也是一种Ruddlesden-popper型化合物。晶体结构为钙钛矿结构，通过在Pt薄膜上成膜来提高薄膜的稳定性。

KRYSTAL Wafer 应用于执行器: 设计用于反向压电效应。产品具有均衡的规格，在实现低介电常数的同时，还具有高d常数及耐电压性。

应用于感测器: 专为压电应用而设计。产品具有高ｃ轴方向，相对介电常数为140或更低，以改善失真产生的电荷量。

KRYSTAL Wafer 根据客户的需求，我们提供在PZT薄膜上形成的SRO+Pt薄膜，作为顶部电极。

PZT薄膜具有优秀的特性，能够被应用于各种用途,不过由于含有铅的成分，从对环境和健康的影响角度来看，应用时都会受到一定的限制。我们努力开发具有与PZT薄膜相当或有更好表现特性的无铅材料，已经成功地使用BTO、ALN、LaNbO₃、LaTiO₃和KNN等制造了单晶压电薄膜。