我們很高興宣布，本公司的研究成果已發表於應用物理學領域的頂尖學術期刊《Japanese Journal of Applied Physics》。在本研究中，我們對 Pt/ZrO₂/Si 多層結構內的界面進行了原子級分析，並闡明了實現高品質晶體生長的機制。研究結果顯示，在氧化鋯與鉑之間的界面處形成了一層超薄反應層。該層充當「橋樑」，能調和兩種材料間的晶體結構差異，即使對於原本難以進行外延整合的材料組合，也能實現高品質單晶薄膜的生長。這項成果為基於壓電薄膜的高性能 MEMS 裝置的實際實現提供了重要的技術見解。

I-PEX Piezo Solutions Inc. 已在福岡縣小郡市的 I-PEX 大學內設立一座新的無塵室設施（i.Fab），以支持其壓電 MEMS 代工業務的持續成長，並滿足日益增長的市場需求。

透過運用 I-PEX Piezo Solutions 所提供的帶有 Pt/ZrO₂ 緩衝層的 Si 基板「KRYSTAL Wafer」，我們成功在矽基板上高品質地生長出強相關氧化物 LaNiO₃ 薄膜，並實現了透過電氣操作可逆性控制熱導率的技術。本研究顯示，憑藉 KRYSTAL Wafer 所具備的優異外延生長環境，得以實現 LaNiO₃ 的高度功能表現，此成果為開發熱控制裝置開闢了嶄新的技術可能性。

I-PEX Piezo Solutions Inc.榮獲濺鍍與電漿製程技術委員會 2024 獎，該獎項旨在表彰對濺鍍與電漿製程技術發展有貢獻的傑出成就。