KRYSTAL^® Wafer

---

優質的KRYSTAL^® Wafer用於壓電MEMS，通過ZrO2緩衝為各種壓電材料進行單晶化。

• 標準 PZT KRYSTAL^® Wafer
• 多層單晶 PZT (2 層) 薄膜晶圓
• 氮化鋁 (AlN) 薄膜晶圓

 

 

標準 PZT KRYSTAL^® Wafer

---

• 標準基材尺寸: 4英寸, 6 英寸, 8英寸尺寸

頂電極單晶PZT晶圓

 

單晶PZT晶圓

 

底電極SRO/Pt晶圓 (SRO/Pt/ZrO2)

 

底電極Pt晶圓 (Pt/ZrO2)

 

ZrO2 緩衝晶圓 (ZrO2)

除了在矽晶圓上進行標準沉積之外，我們也提供客製化沉積服務，例如在不同厚度的矽晶圓上進行沉積、在 SOI 晶圓上進行沉積，以及在客戶提供的晶圓上進行沉積。

返回頁首

 

 

新技術發展

---

• 多層單晶 PZT (2 層) 薄膜晶圓

採用卓越的沉積技術，沉積多層單晶 PZT。改善壓電特性，實現高功率和高精度致動器驅動。
Learn More

返回頁首

 

• 氮化鋁 (AlN) 薄膜晶圓

使用我們獨特的 ZrO2 緩衝層技術，在矽晶圓上實現 AlN 磊晶成長。
Learn More

返回頁首