我们很高兴地宣布,我们的研究成果已发表于应用物理学领域的一流学术期刊《Japanese Journal of Applied Physics》。在本研究中,我们对Pt/ZrO₂/Si多层结构内的界面进行了原子尺度分析,并阐明了实现高质量晶体生长的机制。研究结果揭示,在氧化锆与铂的界面处形成了一层超薄反应层。该层起到“桥梁”的作用,能够调和两种材料之间的晶体结构差异,从而即使对于原本难以进行外延整合的材料组合,也能实现高质量单晶薄膜的生长。这一成果为基于压电薄膜的高性能MEMS器件的实际应用提供了重要的技术启示。