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我们正在运用自身先进的沉积技术,在硅晶圆上进行AlN外延生长。 正在开发6英寸和8英寸晶圆。详情请联系我们。 联系我们
*Uniformity ±0.66%是特殊要求。注:这些数据可能会因改进等原因而发生变化。
请参阅我们的压电特性d33测量方法文档。下载d33测量方法
晶格常数对齐,外延氮化铝薄膜质量好,晶体取向度高。
注:这些数据可能会因改进等原因而发生变化。
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