当社はKRYSTAL^® Wafer の優れた単結晶成膜技術を応用し、AlNエピタキシャル成長 on Siを開発しています。

当社はKRYSTAL^® Wafer の優れた単結晶成膜技術を応用し、単結晶薄膜PZTの積層成膜技術（2層PZT成膜）を開発しています。 圧電特性が向上し、高出力・高精度なアクチュエーター駆動を実現可能。

これまでのDLC成膜で培ったプラズマ制御技術と無機結晶制御技術とを融合させ、合成が極めて難しいとされた様々な圧電素材の単結晶化に成功し製法を確立しました。様々な半導体プロセスに適応でき、既存多結晶材料と比較して著しく高い特性を示します。

KRYSTAL^® Waferのキーテクノロジーは、独自のZrO₂（ジルコニア）バッファ層を基盤とした原子レベルの界面制御技術にあります。KRYSTAL^® Waferは、このZrO₂を基盤とする界面制御技術を活用し、今回その成長メカニズムを解明したPt電極構造をはじめ、様々な機能性薄膜への展開を目指すエピタキシャル成長プラットフォームです。PZTをはじめとする様々な機能性材料の高品質なエピタキシャル成長を可能とし、MEMSセンサー、アクチュエータ、高周波デバイスなどの高性能化に貢献します。

MEMSは電子部品として、既に身の回りの家電製品や自動車、IoT製品、通信、医療など幅広い分野で活用され、MEMSの活用は今後ますます拡大していくと予想されています。 ここでは、身近な家電やスマートフォン、自動車などに最も広く使用されている半導体加工技術を活用したMEMSについて詳しくご説明していきます。