窒化アルミニウム (AlN) 薄膜
[技術開発中]
当社はKRYSTAL® Wafer の優れた単結晶成膜技術を応用し、AlNエピタキシャル成長 on Siを開発しています。
6インチと８インチウエハーにて開発中。詳細についてはお問合せください。お問い合わせ
窒化アルミニウム (AlN) 薄膜の特性データ
※Uniformity ±0.66%は特殊品となります。現時点の測定数値データのため、今後の改良等により変わる場合があります。
圧電特性 d33の測定方法について
弊社の圧電特性d33の測定方法については資料をご確認ください。 d33の測定方法資料をダウンロード
窒化アルミニウム (AlN) 薄膜の結晶性
格子定数が揃い、高配向性の良質なAlN結晶薄膜であることを確認。
※現時点の測定数値データのため、今後の改良等により変わる場合があります。
