真空蒸着装置（ジルコニアバッファー層成膜用装置）
KRYSTAL® Waferの単結晶化技術のキーテクノロジーである、独自開発のジルコニアバッファー層をシリコン基板上に形成する装置をご提案＊しています。
（＊ご提案には使用条件がございます。使用条件によってご提案できない場合もございますので、詳細については別途お問合せください。お問合せ）
真空蒸着装置（SPZ-EV40）
SPZ-EV40は弊社独自開発技術である、単結晶PZT薄膜の形成を可能にするジルコニアバッファー層をシリコン基板上に形成する装置です。
SPZ-EV40の主な特徴
・単結晶圧電薄膜に不可欠な下地層成膜が可能
・基板回転機構により優れた膜厚分布および再現性を実現
・搬送室予備ポートに蒸着チャンバーを増設可能
製品仕様
ユーティリティ（蒸着チャンバー1台仕様）
※蒸着材料、使用ガス、冷却水チラーは付属しておりません。
真空蒸着装置外形寸法図 [mm]
（デスクトップPC ：W383×D321×H154、液晶モニタ(×2) ：W565×D175×H433）
各付帯設備詳細寸法図 [mm]
真空蒸着装置チャンバー増設外観寸法図 [mm]
（蒸着チャンバーを計3台まで増設した場合の例）
※記載の仕様・寸法等は予告なく変更することがあります。
