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News & Updates

大阪大学との共著論文がApplied Physics Express誌に掲載

I-PEX Piezo Solutionsが提供する Pt/ZrO₂ バッファ層付き Si 基板「KRYSTAL Wafer」を活用し、強相関酸化物である LaNiO₃ 薄膜をシリコン基板上に高品質に成長させ、電気的操作によって熱伝導率を可逆的に制御する技術を実現しました。本研究は、KRYSTAL Wafer がもつ優れたエピタキシャル成長環境によって LaNiO₃ の高度な機能発現が可能になったことを示すものであり、熱制御デバイス開発に向けた新たな技術的可能性を切り開く成果となっています。
熱伝導率制御に関する技術実証研究

2024年度スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会賞（SP部会賞）を受賞

公益社団法人日本表面真空学会が主催するスパッタリングおよびプラズマプロセス技術及びその関連分野の発展に寄与する顕著な業績を表彰することを目的としたSP部会賞において「2024年度SP部会賞」を受賞いたしました。
2024年度スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会賞を受賞

MEMSとは何か、図を使って詳しく解説

MEMSは電子部品として、既に身の回りの家電製品や自動車、IoT製品、通信、医療など幅広い分野で活用され、MEMSの活用は今後ますます拡大していくと予想されています。 ここでは、身近な家電やスマートフォン、自動車などに最も広く使用されている半導体加工技術を活用したMEMSについて詳しくご説明していきます。
MEMSって何？

世界をリードする圧電技術

これまでのDLC成膜で培ったプラズマ制御技術と無機結晶制御技術とを融合させ、合成が極めて難しいとされた様々な圧電素材の単結晶化に成功し製法を確立しました。様々な半導体プロセスに適応でき、既存多結晶材料と比較して著しく高い特性を示します。
Single-Crystal Technology

単結晶化メカニズム

KRYSTAL® Waferの単結晶化技術の最大の特徴は、広いプロセスマージンであり、それを支えるキーテクノロジーが独自のバッファー層です。バッファー層が自ら形状変化することにより、基板と圧電薄膜の結晶格子のズレを補正し、残留応力の少ない単結晶化を実現させています。
単結晶化メカニズム

I-PEX Piezo SolutionsのMEMSファウンドリ​​​は優れた単結晶成膜技術とMEMS加工技術を用いて、お客様の高性能な圧電MEMSの開発をサポートいたします。バッファー基板販売や特定のMEMS加工工程のみなど、ご要望に応じて柔軟な対応が可能です。