我们很高兴地宣布，我们的研究成果已发表于应用物理学领域的一流学术期刊《Japanese Journal of Applied Physics》。在本研究中，我们对Pt/ZrO₂/Si多层结构内的界面进行了原子尺度分析，并阐明了实现高质量晶体生长的机制。研究结果揭示，在氧化锆与铂的界面处形成了一层超薄反应层。该层起到“桥梁”的作用，能够调和两种材料之间的晶体结构差异，从而即使对于原本难以进行外延整合的材料组合，也能实现高质量单晶薄膜的生长。这一成果为基于压电薄膜的高性能MEMS器件的实际应用提供了重要的技术启示。

I-PEX Piezo Solutions Inc.在福冈县小郡市的I-PEX大学内新建了一座洁净室（i.Fab），旨在推动以单晶PZT成膜技术为优势的压电MEMS代工业务进一步发展，并满足不断增长的市场需求。

利用I-PEX Piezo Solutions提供的带Pt/ZrO₂缓冲层的硅衬底“KRYSTAL Wafer”，成功在硅衬底上高质量地生长出强关联氧化物LaNiO₃薄膜，并实现了通过电学操作可逆性调控其热导率的技术。本研究表明，得益于 KRYSTAL Wafer 所具备的优异外延生长环境，LaNiO₃ 得以展现出高度的功能性，这一成果为热控器件的开发开辟了新的技术可能性。

I-PEX Piezo Solutions Inc. 获得了 “2024 年溅射和等离子工艺技术委员会奖”，该奖项旨在表彰为溅射和等离子工艺技术发展做出贡献的杰出成就。