利用I-PEX Piezo Solutions提供的带Pt/ZrO₂缓冲层的硅衬底“KRYSTAL Wafer”，成功在硅衬底上高质量地生长出强关联氧化物LaNiO₃薄膜，并验证了通过电学操作可逆性调控其热导率的技术。本研究表明，得益于 KRYSTAL Wafer 所具备的优异外延生长环境，LaNiO₃ 得以展现出高度的功能性，这一成果为热控器件的开发开辟了新的技术可能性。

I-PEX Piezo Solutions Inc. 获得了 “2024 年溅射和等离子工艺技术委员会奖”，该奖项旨在表彰为溅射和等离子工艺技术发展做出贡献的杰出成就。